清华大学与罗姆共同举办“2018清华-罗姆国际产学连携论坛” !
＜概要＞
2018年5月18日，中国清华大学（中国北京市）携手罗姆（总部位于日本京都），在清华大学“清华-罗姆电子工程馆”内举办了“2018清华-罗姆国际产学连携论坛（Tsinghua-ROHM International Forum of Industry-Academia 2018：TRIFIA 2018）”。
今年，已经是本论坛举办的第九个年头，作为清华大学和罗姆共同举办、以热点研究为题材的技术研讨会，此次论坛的来宾包括大学相关人员在内的中外业界的众多专家学者。
论坛上，在国内智能网联汽车技术领域的领导者-清华大学智能网联汽车研究中心主任李克强教授、脑科学与脑智能研究领域的知名科学家-清华大学生物医学工程系系主任王小勤教授、机器人和自动驾驶领域的知名专家-日本ZMP公司董事长兼CEO谷口恒先生做了精彩报告，受到大家欢迎。值得一提的是，论坛吸引了许多北京在地的年轻学者，从学术和企业两个角度出发，对目前社会上已成流行趋势的人工智能（AI）技术以及未来车载技术和应用进行了深入交流和探讨。同时，本次论坛设有电子技术与应用专门研讨会，从支持中国企业产品研发的角度出发，以罗姆的产品为例，围绕业界领先的碳化硅（SiC）等大功率电子器件，无线通信、无线充电、 车载半导体等先进电子技术等展开了深入交流和研讨。
＜背景＞
清华大学和罗姆为了促进围绕尖端技术开发的共同研究与技术交流，于2006年4月签订了“产学合作框架协议”，以“运用光子技术开发生物传感结构”为开端，涉及LSI和半导体元器件、光学元器件和模块、数字电视、生物传感等广泛主题，开展了共同研究和技术交流。
为进一步深化技术交流，双方于2010年首次成功举办“清华-罗姆国际产学连携论坛（TRIFIA）”。之后，每年以热点研究为题材举办该论坛。
另外，在2011年清华大学百年校庆之际，作为进一步强化双方产学合作的基地，罗姆于清华大学校内捐资建设了“清华-罗姆电子工程馆”。2012年1月，在电子工程馆内增设了罗姆的研究设施，与清华大学就最尖端的技术开展共同研究。近年来，双方在人工智能（AI）、传感器和网络技术、电力电子技术等多个领域取得了丰硕的研究成果。
罗姆希望通过此次论坛提高与清华大学之间长期共同研究的水平，并进一步强化产学合作，为全球市场做贡献而不断深化合作。
＜论坛详情＞
举办地点 ： 清华大学 清华-罗姆电子工程馆
举办时间 ： 2018年5月18日（星期五） 9:30 ～ 18:00
（ 上午 ）
9:30~9:40
清华大学校领导致开幕词
清华大学
副校长 王希勤教授
9:40~9:50
致辞
ROHM Co., Ltd. 董事
末永 良明先生
9:50~10:00
致辞
清华大学 天津电子信息研究院 首席顾问
清华大学 客座教授 高须 秀视先生
10:00~10:35
演讲报告: “人工耳蜗植入与助听器未来发展展望 ”
清华大学 生物医学工程系
王小勤教授
10:50~11:25
演讲报告:“自动驾驶技术助力实现梦想”
日本株式会社ZMP
谷口 恒董事长
11:25~12:00
演讲报告:“智能车辆向自动驾驶的演变：在中国的技术创新进展”
清华大学 汽车工程系
李克强教授
(下午)
<专题讨论会1（演讲）：人工智能(AI)> (13：30 ～ 16：30)
来自清华大学、北京大学、北京航空航天大学、中国科学院、罗姆以及深鉴科技的六名活跃于前沿技术研究的青年学者， 向与会者分享了他们在人工智能研究领域的研究成果和发现。报告内容集中在与人工智能相关的器件、处理器以及运行平台技术和应用。
<专题讨论会2（演讲）：未来汽车技术> (13：30 ～ 16：30)
演讲内容涵盖与未来车辆相关的众多前沿技术和应用，包括用于自动驾驶的诸如毫米波雷达和激光雷达（LiDAR）器件技术和应用、电池安全性课题以及智能车辆互联技术。
<研讨会：电子技术和应用> (13：30 ～ 16：30)
来自罗姆的工程师以教育演讲的形式向听众介绍许多最新实用的电子技术与应用，以及其未来发展前景展望。讲演者以罗姆的产品为例，围绕业界领先的碳化硅（SiC）等大功率电子器件、面向物联网应用的无线通信技术、无线充电技术、车载半导体电子技术和应用等与听众展开了深入交流和研讨。
<展板展示：先进尖端技术> 展示(13：30 ～ 16：30)、讲解(16：30 ～ 18：30)
通过展板展示活动介绍清华大学和罗姆合作成果和双方的研发活动。展示内容涵盖多个技术领域，包括来自清华大学的神经网络加速器、非易失智能处理器、包括智能轮胎和体感应器的自供能传感网系统、柔性电子， 和来自罗姆公司的碳化硅器件及模块的开发和应用、人工智能、用于芯片键合的新材料技术、各式传感器、光电子、电源控制芯片、无线通信芯片、车载用芯片等。同时，本次活动设有学生海报竞赛环节。以人工智能和车载技术为主题，来自清华大学、北京大学以及其它四个在京大学的十张海报参加了比赛。 获得TRIFIA 2018最佳海报奖的是由首都师范大学的邱柯妮教授和她的学生团队呈献的题为“Retention State-Aware Energy Management for Efficient Nonvolatile Processors”的海报。它以“课题新颖、技术优势明显、应用前景佳、以及良好的呈现方式”获得评委的青睐。
参考：TRIFIA2018现场照片
清华大学副校长 王希勤 致辞
清华大学汽车工程系 李克强教授 演讲
清华大学生物医学工程系 王小勤教授 演讲
日本株式会社ZMP 谷口 恒董事长 演讲
“未来汽车技术专题讨论会”现场
“AI 专题讨论会”现场
研讨会现场
展板展示现场
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
