碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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GCM21BR71H105KA03L | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 1uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.31 | 查看 | |
PMR209ME6470M033R30 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 33ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$52.63 | 查看 | |
SZMMBZ33VALT1G | 1 | onsemi | Dual Common Anode Zener Diode Protection, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.04 | 查看 |