注重SiC功率元器件趋势！罗姆福冈新厂房投建
罗姆为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力，决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑后工厂投建新厂房。
新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预计将于2019年动工，于2020年竣工。
罗姆自2010年开始量产SiC功率元器件（SiC-SBD、SiC-MOSFET）以来，于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET，不断进行着领先业界的技术开发。在制造方面，罗姆集团也构筑起了引以为豪的一条龙生产体制，致力于晶圆的大口径化，并通过最新设备提高生产效率。
当下，在全球范围实现节能成为当务之急，SiC功率元器件作为节能化的关键而备受期待。为了更好地满足其不断扩大的需求，在罗姆集团Apollo工厂投建新厂房，提高生产能力。
＜ROHM · Apollo新厂房 概要＞
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结构 |
地上三层 RC结构 |
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总建筑面积 |
约11,000㎡ |
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动工 |
2019年2月 |
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竣工 |
2020年12月 |
今后，罗姆集团将继续把握市场行情，在强化生产能力的同时，严格贯彻实施多基地生产体制、库存管理、设备防灾化等，努力实现对客户的稳定供货。
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隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
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