SIC(ICSCRM 2019)24年来首次在京都举行国际会议
ICSCRM为来自世界各地的研究人员提供了一个跨学科的平台，以展示他们在与SiC和其他宽禁带半导体(WBG)相关的所有领域的最新发现。来自京都大学的荣誉退休松下教授是碳化硅发电设备方面的一位领先专家，他领导了这一享有盛誉的会议，该会议于1987年在华盛顿特区首次召开。此后，ICSCRM每两年在日本、美国和欧洲举行一次。24年后，会议终于回到了京都，聚集了1200多名碳化硅专家、经验丰富的工程师和来自世界各地的年轻学生。
Rohm作为钻石赞助商参加了这次活动，介绍了驱动电路技术，最大限度地提高了SiCMOSFET的开关能力。一般情况下，SiC等功率半导体具有导通损耗和开关损耗，但降低开关损耗尤其是减小开关损耗引起了人们越来越多的关注。
通常，传统的驱动电路不能最大限度地提高SiC MOSFET的高速开关特性.相反，ROHM在会议上提出的一种新的驱动电路(口头介绍)增加了一个电容器，进一步提高了开关速度，使整个驱动电路的开关损耗减少了25%或更多。这项技术有望应用于太阳能系统的动力调节器中。
在海报会话中，ROHM提出了一种分析SiC器件特性的新建模方法。然而，尽管SiC技术正在得到广泛的应用，但工程师们仍面临着开发能够最大限度地提高器件特性和实现高效率、高频率驱动的电路设计的困难。幸运的是，电路设计仿真工具已经证明在解决这些问题方面是有用的。Rohm在会议上宣布的新的SiCMOSFET器件建模方法能够获得非常接近实际测量值的开关特性(电路设计所必需的)，从而实现高精度的电路模拟。
此外，ROHM还在10月1日(星期二)为参加2019年ICSCRM的人举办了一次讲座和欢迎聚会。在讲座上，ROHM研究开发中心的Nakahara博士欢迎来宾，而电源设备生产总部总经理Ino博士则介绍了ROHM的SiC电源设备的最新更新。此外，松城忠雄教授还做了一个专题讲座，讨论了碳化硅的历史和未来前景，从京都大学的基础研究到最近在各种应用中的收养案例。
随后，在另一个地点举行了欢迎晚会，LSI发展总部主任兼总经理Tateishi先生和京都大学Kimoto教授向与会者表示欢迎。参与者进行了令人兴奋的谈话，使之成为一项活跃的活动。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
