何谓全SiC功率模块
SiC功率元器件大家都不会陌生，但是许多粉丝反应有些技术点还一知半解。ROHM君特地搬运来相关知识点，从最基础的介绍到终极使用方法应有尽有，无论您是小白还是“老司机”，一样可以温故而知新。
今天ROHM君来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
何谓全SiC功率模块
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解。
目前，罗姆正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。
另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。
以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A的产品种类齐全，400A和600A的两种机型近期刚刚开发出来。产品阵容拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流100 A～600 A的丰富产品。
进步明显的全SiC功率模块
最新的全SiC功率模块采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代沟槽结构SiC-MOSFET），以进一步降低损耗。以下为示例。
关键点小黑板:
・全SiC功率模块由罗姆自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。
・与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
・全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
