ROHM微信在线研讨会——碳化硅（SiC）功率器件活用
下面ROHM君出场啦，提前来给大家预告6月的在线研讨会，现在可以扫描下方二维码免费报名参与，本次好礼更加丰富哦，下滑屏幕了解下？
时间：6月27日 10:00
微信线上研讨会
也可通过以下方式报名：
【课堂内容介绍】
简 介： 与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
【演讲内容概要】
（一）SiC和Si功率器件
（二）SiC功率器件的特征
（三）SiC功率器件的注意点，可靠性
（四）SiC功率器件的活用（动作、回路、实验例）
演讲人简介：
谢健佳：罗姆半导体（深圳）有限公司设计中心 工程师。功率器件专家，罗姆功率器件活用研讨会讲师。多年从事功率器件、特别是SiC功率器件的推广与应用支持工作。拥有丰富的技术支持经验。从2017年起担任罗姆功率器件活用研讨会讲师，在全国范围内成功举办了多场研讨会。希望通过在线研讨会的形式，让更多同行了解SiC的优点和特性，更好地应用SiC功率器件。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
