ROHM集团Apollo筑后工厂将投建新厂房以强化SiC功率元器件的产能
全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展（electronica China 2018）"。
"慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以"汽车电子"和"工业设备"为轴，为大家呈现包括"汽车电子"、 "模拟"、"电源"、"传感器"以及"移动设备"在内的5大解决方案展区，囊括了业界领先的强大产品阵容。另外，为此次展会特别设置的"电动方程式赛车（Formula E）"和"工厂检测"特别展示区域更是吸引了众多参观者驻足观看。
ROHM展台人头攒动
世界领先的SiC技术帮助Formula E突破极限
ROHM作为SiC功率元器件的领军企业，在 2016年与参加电动方程式锦标赛 (Formula E) 的文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) 签署官方技术合作协议。从2016年10月9日开幕的第3赛季起，为逆变器这一赛车核心驱动部件提供全球最先进的SiC功率元器件。第3赛季提供了二极管(SiC-SBD)，而从第4赛季开始，则提供集成了晶体管与二极管的"全SiC"功率模块。与未搭载SiC的第2赛季的逆变器相比，成功实现43％的小型化与6kg的轻量化。此次展会特别展出了搭载了ROHM的SiC功率元器件的逆变器模型。
搭载ROHM SiC功率元器件的逆变器模型
"Nano Pulse Control"技术让车载电源实现单芯片化
近年来，在对节能和环保性能要求越来越高的汽车领域，搭载48V电源系统（与以往的12V电源系统相比燃油经济性改善效果更好，与全混合动力汽车相比成本性能更佳）的轻度混合动力汽车备受瞩目。然而，车载系统必须保持2MHz工作，而能够从48V直接降压到驱动ECU所需的3.3V或5V的电源IC并不存在，需要制造12V等中间电压，进行2步降压。为满足新市场对电源IC的需求，ROHM充分利用模拟设计技术和电源系统工艺技术优势及垂直统合型生产体制，开发出超高速脉冲控制技术"Nano Pulse Control"，实现了"电源系统的单芯片化"。
搭载Nano Pulse Control技术的降压型DC/DC转换器演示
安全可靠！导入功能安全的车载芯片组保障仪表无黑屏
随着汽车的不断普及，行车安全越来越受到关注。其中，仪表盘显示了所有的行车信息，是保障安全驾驶的重要组成部分。针对仪表盘出现线路故常时可能发生的黑屏，ROHM推出了面向车载高清液晶面板用的导入功能安全的车载芯片组。构成芯片组的各IC搭载可相互检测可能发生的故障模式的功能，液晶驱动器的损坏和剥落、液晶的输入信号等信息可随时确认并反馈，作为芯片组还可通过互补来检测面板的故障。通过导入功能安全，在车速表和后视镜采用液晶面板时，有助于预防所担心的重大事故。
导入功能安全的车载芯片组演示
可视化与自动化的前沿！ROHM一站式工厂解决方案
工厂内的设备有一个环节发生故障就会引发巨大损失，因此通过监测环境和设备从而可将故障防患于未然的"工厂监测"技术受到了广泛关注。此次特别展出融合了ROHM尖端元器件与技术优势的"工厂监测"解决方案。将设备进行物联网化转换需要成本和时间，而这些都可以通过使用ROHM丰富的传感器及无线产品阵容轻松实现组合改装。新颖有趣的体验方式受到了参观者的欢迎。
工厂监测解决方案演示
让一节纽扣电池可以用10年的DC/DC转换器
近年来，智能手机等移动设备、可穿戴式设备及IoT设备等用电池驱动的电子设备迅速普及，电池驱动的IoT设备（传感器节点）、小型工业设备（报警器、警报设备、电子货架标签等）被广泛应用。而且，为了提高产品的设计灵活度并确保配置新功能所用的空间，要求这些产品上搭载的元器件的功耗要降低到极限，以实现小型化并延长电池使用寿命。在ROHM的垂直统合型生产体制下，利用凝聚"电路设计"、"布局"、"工艺"三大尖端模拟技术优势而独创的Nano Energy技术，实现了世界最小的消耗电流180nA（n为10的负9次幂）。这使无负载时（应用待机时）的电池驱动时间比普通产品长1.4倍※，有助于CR2025等纽扣电池驱动的电子设备更长时间运行。此外，在业界最宽范围（10μA～500mA，从轻负载到最大负载）实现90%以上的功率转换效率。
搭载Nano Energy技术的DC/DC转换器演示
SiC（碳化硅）功率元器件助力环保更节能
在"能源问题"日益受到重视的今天，"节能"已然成为业界一大主题。如何提高功率转换的效率，尽可能减少功率损耗是一大课题，而SiC功率元器件则是可显著减少功率转换时损耗的关键器件。一直以来都在SiC功率器件领域处于业界领先地位的ROHM，在本次展会上展示的"全SiC"功率模块是一款具有高速开关、低开关损耗、高速 恢复、消除寄生二极管通电导致的元件劣化问题等特点的产品。与一般的同规格IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。其可用于电机驱动、太阳能发电、转换器等多元化领域。
SiC元器件及SiC功率模块
光学式脉搏传感器为健康保驾护航
由于可穿戴设备的电池容量小，进而对可长时间驱动的低功耗元器件需求日益增加。而ROHM最新研发的脉搏传感器主打低功耗，极大程度的满足了当下智能穿戴市场的行业需求。此次参展的BH1790GLC"利用ROHM多年来积累的光传感器技术经验和独有的模拟电路技术优势，提高了传感器灵敏度。由此，即使LED的亮度较低也可准确感知脉搏，实现业界最小级别的低功耗。另外，"BH1790GLC"采用脉搏传感器特有的光学滤光片结构，可高精度地检测脉搏信号。因此，不仅使可穿戴式设备的电池寿命更长，还将红外线的影响降低到以往产品的1/10以下，即使在剧烈运动和室外等红外线较强的环境下，也可获得高品质的脉搏信号，有助于推动可穿戴式设备的进一步发展。
BH1790GLC光学式脉搏传感器演示
应用领域不断拓展 未来市场充满活力
为了让参观者更加方便与直观地了解到ROHM的产品究竟应用在了我们生活中的哪些设备中，这次也特别开设了"应用案例"展区。包括可穿戴设备、汽车电子、消防、家电等领域在内，ROHM的产品在各行各业默默发挥着强大的力量。始终致力于节能化、小型化和轻量化的ROHM不断创新，为科技生活增添了无尽的可能。支持各行各业的工程师发挥无限的想像力，创造出更多为生活带来便捷的好产品。
应用案例 - 生活中的ROHM产品无处不在
通过此次展会，不仅展示了ROHM最新的产品与技术，在与现场观众交流互动的同时，也了解了最新的行业动向与信息，为今后开发出能够更好满足市场需求的产品打下了良好的基础。
更多ROHM展出产品和技术信息请点击：https://micro.rohm.com/cn/exhibition/electronica2018
今后，ROHM还会一如既往地将最先进的产品和技术，以及最优质的服务带给国内外更多的企业，为中国电子行业的发展贡献力量。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
