导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗的秘密~
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOSTM产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
