第三代SCS3系列：提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量
关于SCS3系列，我们对专家进行了一系列采访，娓娓道来这位“完美男友”都能给大家带来怎样的安全感可靠性。从它的前世今生，到它的性格特征以及实际应用，请见如下采访：
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。
前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
第一代是从2010年4月开始量产的SCS1系列。这在当时是日本国内首家实现SiC-SBD量产。第二代是2012年6月推出的SCS2系列，现在很多客户采用的是SCS2系列。包括不同的封装和电流规格等在内，已经实现近50个机型的量产供应。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的数字表示各代。
－那么接下来请您介绍一下第三代SiC-SBD的特点。
第三代SiC-SBD的亮点在于，高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流（漏电流）IR更低。
请看图，第二代SiC-SBD通过制造工艺改进，不仅保持与第一代同等的漏电流IR和恢复特性，还成功将VF降低至约0.15V，达到当时业界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低设备的传导损耗。
第三代SiC-SBD为提高抗浪涌电流性能并改善漏电流IR，采用了JBS（Junction Barrier Schottky）结构。JBS结构是基本上有效改善抗浪涌电流性能和漏电流IR的结构，而且第二代SiC-SBD实现的低VF特性还成功得以进一步改善。Tj＝25℃时的typ值为1.35V，与第二代同等，但Tj＝150℃时为1.44V，比第二代SiC-SBD低0.11V。这意味着高温环境下的导通损耗降低，在高温环境下的工作变得更有利。
－抗浪涌电流性能和漏电流看来得到了相当大的改善。
抗浪涌电流性能如表格中的额定值所示，从第二代SiC-SBD的38A提高到了1倍以上，高达82A。通过采用JBS结构，并开发最大限度地发挥抗浪涌性能的工艺与产品结构，实现了抗浪涌电流性能的大幅改善。
漏电流IR也同样得到大幅改善。普通肖特基势垒二极管的特性存在一种矛盾关系，即当试图降低正向电压时，漏电流就会增加。第三代SiC-SBD不仅继承了正向电压低的特点，还通过采用JBS结构而大幅降低了漏电流。与第二代SiC-SBD相比，在额定电压650V、Tj=150℃时漏电流降低至约1/15。
－这些性能提升和特性改善的目的是什么？
与Si二极管相比，SiC-SBD有望降低应用中的损耗。同时，功率元器件是处理大电压、大电流的产品，还存在“希望使用更放心”这个背景。抗浪涌电流性能的改善就是为了满足这种需求。
－适合什么样的应用呢？
如果是高效率应用，无需特别限定，最适用的用途是电源装置，尤其是PFC。例如，服务器和高性能PC等不仅需要提高效率，还要求具备更高的抗浪涌电流性能。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性，可进一步提高效率。而且，抗浪涌电流性能提升达2倍以上，对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。
－请介绍一下SCS3系列的产品阵容。
当初推出该系列产品时，产品阵容为6A～10A、TO-220ACP封装共3种机型，如今已发展为5种机型量产中，加上不同封装类型扩展，已扩充到共15种机型。除通孔型的TO-220ACP外，还计划增加TO-220FM、面贴装型的TO-263AB，可根据安装方法和空间来选择封装。
另外，虽然已经推出第三代产品，但第二代产品也在继续扩充机型，客户可根据使用条件和要求规格来自由选择。
－经过您的讲解，我了解了包括SiC-SBD基础知识在内的发展到第三代产品的过程。非常感谢。
怎么样，如此强大的阵容相信能满足您的设计需求，罗姆今后也会奉献出更安全可靠的产品给大家。
通常情况下，SiC 二极管和 MOSFET 可以采用各种标准封装方式（包括分立器件和模块）。分立器件可以分为两类：THT 器件（通过孔技术插装）和 SMD（表面贴装器件）。在进行封装设计时，了解和考虑 SiC 物理特性是必要的。例如，由于 SiC 器件具有更短的开关时间，封装内的寄生电感在 SiC 半导体中比在 Si IGBT 中更为重要。因此，Rohm 公司已经做了大量工作，以减少分立器件和模块内的寄生电感。
日本京都大学教授 松波弘之在1987年发现了SiC技术，罗姆在2000年12月全球首家成功实现 SiC-DMOSFET的产业化并开始量产。2004年罗姆与京都大学联合开发出SiC MOSFET原型，2008年在汽车行业率先采用，与本田联合研究混动汽车上的SiC功率模块。
在SiC上，罗姆新增1200V、400V/600V系列，进一步大电流化。而由此也相应更新了大电流的新封装开发。在电感上，通过新引脚结构和对内部布线的优化，降低了内部电源，抑制了开关时间的浪涌，实现了大电流规格。在电阻上，通过降低外壳与散热片电阻，优化了冷却结构，提高了散热效率。另外，自2009年将德国SiC晶圆制造商—SiCrystal公司纳入旗下，罗姆此次参展也带来了晶圆制造的四大模块更新。
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。我们就SCS3系列的特点、应用范围展望等，采访了负责开发的ROHM株式会社 功率元器件制造部 千贺 景先生。
关于SCS3系列，我们对专家进行了一系列采访，娓娓道来这位“完美男友”都能给大家带来怎样的安全感可靠性。从它的前世今生，到它的性格特征以及实际应用
