ROHM展示了业界第一款内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器集成电路
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
MOSFET的半导体漂移区是其核心部分，负责在电场作用下实现载流子的定向移动以形成电流。在弱电场配置下，为提升性能，需平衡漂移区的传输效率和功耗，通过精确控制其宽度、长度和掺杂浓度来实现。此外，设计特殊漂移区形状、优化栅极电压、降低界面态密度和减少表面电荷等措施也有助于提升性能。
在多个MOS管并联驱动电路中，尽管理想情况下电流应均匀分配，但材料、工艺、温度等差异导致实际中难以实现完全均流，可能引发过流失效和可靠性问题。此外，并联MOS管在工作时产生的热量分布不均可能导致局部过热，影响性能并引发安全问题。设计此类驱动电路复杂度高，增加了成本。
