SiC MOSFET：SCT2H12NZ

更新时间 2019-03-26

标签：功率MOSFET

SCT2H12NZ是1700V 3.7A的Nch SiC功率MOSFET。

类型	文档标题	格式	版本	文件大小	下载次数
英文文档	sct2h12nz-e	pdf	1.0	787.57KB	335

技术贴

碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

为什么很难描述碳化硅功率MOSFET的特性

分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型和参数辨识...

650V/29A的N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF，导通阻抗只有120mΩ

650V/118A N沟道功率MOSFET SCT3017AL，导通电阻低

功率MOSFET重要特性——阈值、ID-VGS特性及温度特性经验之谈

AEC-Q101认证的P沟道汽车级功率MOSFET，主要应用于车载开关...

600V高压三相桥式驱动器，可用于驱动N沟道功率MOSFET和IGBT

简析功率MOSFET的开关特性及其温度特性

适用于通用开关应用的TO-263S封装N沟道功率MOSFET