更新时间 2020-01-15
BM 60212FV-C是一种高、低侧驱动的集成电路，其工作电压可达1200 V，采用自举操作，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。欠压锁定(UVLO)功能和米勒箝位功能是内置的.
