Infineon最新技术资料大全

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[摘要] 英飞凌的 NFC 标签端控制器 NGC1081 是智能传感应用的颠覆者——不再需要电池！

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[摘要] 随着USB PD 3.1标准[1]的发布，最大功率被提升到了240W。但宽输出电压范围5V至48V给现有的转换器拓扑结构带来了新的挑战。本白皮书提出了AC-DC PFC升压级和DC-DC HFB（混合反激式）级[2]（也称非对称半桥反

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[摘要] 英飞凌XENSIV强大而可靠的磁性传感器支持传输系统优化，最大限度地提高能源效率，使我们的地球更加洁净。我们强大的传感器可支持客户平台方式（标准化），可靠地减少了客户的质量问题，此外，我们还提供大量稳定的产品组合，使业务得以延续。

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[摘要] 本文将探讨增强型 GaN HEMT 在服务器电源和电信基础设施等高功率应用中的优势。与下一代最佳硅替代品相比，本文将定量地展示，基于 GaN 功率器件的系统能有多大提升。本文还将深入探讨相应拓扑结构、磁性器件选择及开关频率，以充分利用

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[摘要] 凭借英飞凌在电力电子领域的专业知识和众多宽禁带 (WBG) 相关 IP 产品系列，高压 (> 600 V) CoolGaN ™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程